半填充；半充填（尤指凝聚态物理/固体物理中：能带或晶格上的电子平均占据数为最大值的一半，例如“每个晶格位点平均 1 个电子”的情形）。在相关模型（如 Hubbard 模型）里，半填充常与莫特绝缘体、反铁磁序等现象联系紧密。日常语境中也可泛指“填到一半/半满”，但更常见的写法是 half-full/half filled。
/ˌhæf ˈfɪlɪŋ/
At half-filling, the system can become insulating.
在半填充时，系统可能变成绝缘体。
The Hubbard model at half-filling often shows strong correlations, leading to a Mott insulator and antiferromagnetic order at low temperatures.
在半填充条件下，Hubbard 模型常呈现强关联效应，可能导致莫特绝缘体，并在低温下出现反铁磁有序。
由 half（一半）+ filling（填充/占据）构成的复合词。它在物理学中借用了“填充”的直观含义，用来描述粒子（尤其是电子）对能级、能带或晶格位点的占据比例达到“最大可能占据的一半”的状态。
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