Tight-binding Model

定义 Definition

紧束缚模型：一种固体物理/量子力学中的近似方法，用来描述电子在晶格中主要“局域”在原子（或轨道）附近，但仍可通过与邻近原子轨道的跃迁（hopping）在晶体中传播的行为。常用于理解能带结构、导电性与晶格对电子的影响。（也常简称为 tight binding 或 TB model。）

发音 Pronunciation

/ˈtaɪt ˌbaɪndɪŋ ˈmɑːdəl/

例句 Examples

The tight-binding model helps explain why electrons form energy bands in a crystal.
紧束缚模型有助于解释为什么电子在晶体中会形成能带。

Using a tight-binding model with nearest-neighbor hopping, we can fit the measured band structure and estimate the material’s effective parameters.
使用只考虑最近邻跃迁的紧束缚模型，我们可以拟合测得的能带结构，并估算材料的有效参数。

词源 Etymology

tight-binding 直译为“紧的束缚/紧密束缚”。这里的含义是：电子波函数主要束缚在原子附近（局域化较强），只通过较小的轨道重叠在相邻原子之间“跳跃”。这种说法与另一类常见近似（更偏向电子近似自由传播的观点）形成对照。model 来自拉丁语 modulus（尺度、范式），表示“用来描述或近似现实的理论框架”。

相关词 Related Words

• Band Structure
• Bloch State
• Crystal Lattice
• Dispersion Relation
• Electronic Band
• Hamiltonian
• Hopping
• Nearest Neighbor
• Wannier Function

文学与经典著作 Literary Works

• Solid State Physics — Neil W. Ashcroft & N. David Mermin（常用教材中系统讨论紧束缚思想与能带）
• Introduction to Solid State Physics — Charles Kittel（以直观方式介绍能带与紧束缚近似）
• “Simplified LCAO Method for the Periodic Potential Problem” — J. C. Slater & G. F. Koster（1954，著名的 Slater–Koster 参数化与紧束缚形式相关）
• Electronic Structure and the Properties of Solids — Walter A. Harrison（以紧束缚/参数化方法解释材料电子结构）