Reverse-bias

释义 Definition

reverse-bias（反向偏置/反向偏压）：在二极管、晶体管的 PN 结等半导体器件上施加与其导通方向相反的电压，使其通常处于截止状态，仅有很小的反向漏电流；当反向电压过高可能发生击穿（如齐纳击穿/雪崩击穿）。

发音 Pronunciation (IPA)

/rɪˈvɜːrs ˈbaɪəs/

例句 Examples

The diode is in reverse-bias, so almost no current flows.
二极管处于反向偏置，因此几乎没有电流流过。

If you increase the reverse-bias voltage beyond the breakdown point, the junction can conduct heavily and may be damaged without proper current limiting.
如果将反向偏置电压升高到超过击穿点，结区会出现强导通；若没有合适的限流，器件可能被损坏。

词源 Etymology

reverse- 表示“相反方向的”；bias 在电子学里指对器件施加的“偏置电压/偏置条件”（让器件工作在某个状态）。合起来就是“施加反方向偏置”的意思，常用于描述二极管、光电二极管、晶体管结等的工作方式。

相关词 Related Words

• Breakdown
• Forward-Bias
• Diode
• Junction
• Leakage
• Rectifier
• Zener
• Avalanche
• Depletion
• Cutoff

文学与经典著作中的用例 Literary Works

• The Art of Electronics（Horowitz & Hill）——在二极管特性、结电容、保护与整流等章节讨论反向偏置与击穿。
• Microelectronic Circuits（Sedra & Smith）——在 PN 结、二极管模型与晶体管结的分析中使用 reverse bias/reverse-bias。
• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）——从器件物理角度系统讲解反向偏置下的耗尽层、漏电与击穿机制。
• Solid State Electronic Devices（Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee）——在半导体结与二极管章节中频繁出现反向偏置相关表述。