IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,中文常译为绝缘栅双极型晶体管。它是一种用于电力电子的半导体功率器件,兼具 MOSFET 的易驱动特性与双极型器件的较强电流能力,常见于变频器、电动车逆变器、开关电源、焊机、工业驱动等场景。(也有人把它泛称为“功率开关管”。)
/ˌaɪ dʒiː biː ˈtiː/
The inverter uses an IGBT to switch the motor current.
逆变器使用 IGBT 来切换电机电流。
Compared with a MOSFET, an IGBT can handle higher voltage in many industrial drives, but its switching speed may be lower at high frequency.
与 MOSFET 相比,在许多工业驱动中 IGBT 往往能承受更高电压,但在高频下其开关速度可能更低。
IGBT 是一个技术缩略词,由 Insulated(绝缘) + Gate(栅极) + Bipolar(双极) + Transistor(晶体管) 组成。名称直接描述其结构与工作特性:用“绝缘栅”方式控制电流,同时具备“双极型”导电机制,因此能在高电压、大电流应用中广泛使用。