Gallium arsenide

释义 Definition

砷化镓：一种由镓（Ga）和砷（As）组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，常用于高速电子器件、微波/射频器件、发光二极管与激光器等光电子领域。（也常写作 GaAs）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈɡæliəm ɑːrˈsɛnaɪd/

例句 Examples

Gallium arsenide is used in some high-speed chips.
砷化镓用于一些高速芯片中。

Because gallium arsenide has high electron mobility, it is widely used in microwave and optoelectronic devices.
由于砷化镓具有较高的电子迁移率，它被广泛用于微波与光电子器件。

词源 Etymology

gallium 来自拉丁语 Gallia（“高卢/法国”），因发现者（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）与法国相关而命名；arsenide 来自 arsenic（砷）加化学后缀 -ide（表示“某元素的化合物/阴离子”），合起来即“砷化镓”。

相关词 Related Words

• Semiconductor
• Gallium
• Arsenic
• Compound semiconductor
• Wafer
• Diode
• LED
• Laser
• Photonics
• Epitaxy
• Heterostructure
• Microwave

文学与著作 Literary & Notable Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）：讨论GaAs等化合物半导体器件与物理机制。
• Fundamentals of Photonics（Bahaa E. A. Saleh & Malvin C. Teich）：在半导体光电子与激光器材料部分常涉及GaAs体系。
• Semiconductor Optoelectronic Devices（Pallab Bhattacharya）：以GaAs/AlGaAs等结构为典型例子讲解光电子器件。